DRAM pazarının önde gelen isimlerinden SK Hynix, kesimde bir birinci olan 1bnm üretim teknolojisinin veri merkezi eserleri için çok yakında hazır olacağını duyurdu. Bu noktada DDR5 ve HBM3E (High-Bandwidth-Memory Extended) belleklerin üretiminde kullanılacak üretim süreci, bilhassa HBM3E belleklerde kayda bedel bir sürat artışı sunacak. Seri üretim için tarih verildi
Bugün yapılan duruyuruda SK Hynix, 1bnm üretim sürecinin birinci bilgi merkezi eserleri için doğrulandığını açıkladı. Daha da kıymetlisi, 1bnm DDR5 bellekler, 1anm sürecine kıyasla yüzde 20 verimlilik artışı sunacak. Lakin yeni duyurudaki en kıymetli detay, yeni üretim sürecinin HBM3E tarafından kullanılacak olması.
SK hynix, yeni üretim sürecini temel alacak belleklerin 2024’te seri üretime gireceğini ve 8 Gb/sn data sürece suratına ulaşacağını söylüyor. Bu suratın, HBM3’e kıyasla yüzde 25 ve birinci jenerasyon HBM belleklerden ise 8 kat daha yüksek olduğunu belirtelim. Ayrıyeten SK hynix, birinci uyumluluk testleri tamamlanan 5.nesil DDR5 belleklerin Ölçeklenebilir Intel Xeon platformu tarafından destekleneceğini de doğruladı. Bu noktada dev üretici, ek doğrulama süreçlerinin devam ettiğini söylüyor.
Konu hakkında yapılan açıklamada yeni üretim sürecinin hem performans hem de watt başına performans sayılarına vurgu yapan SK hynix DRAM Geliştirme Lideri Jonghwan Kim,“Bellek pazarının ikinci yarıdan itibaren toparlanmaya başlayacağına dair artan beklentiler ortasında, 1bnm sürecinin ikinci yarıdan elde ettiğimiz çıkarları artırmamıza yardımcı olacağına inanıyoruz” dedi.
