Samsung, şirket tarafından 8. Jenerasyon V-NAND olarak isimlendirilen üç boyutlu NAND bellek üretimine başladığını duyurdu. Muhtemelen 236 katmana sahip olacak olan NAND çipler 2400 MT/sn transfer suratına sahip ve gelişmiş bir kontrolcüyle bir ortaya geldiğinde 12.5 GB/sn’nin üzerinde transfer suratı sunan SSD’lerde kullanılacak.
Seri üretime geçen V-NAND yongalar, bölümde en yüksek bit yoğunluğu sunan eserler olarak nitelendirilirken 1 Tb (128 GB kapasiteye) sahip. Yüksek süratli SSD’lerde yer alacak bu bellekler doğal olarak PCIe 5.0 x4 arayüzünde çalışacak. Samsung, yeni jenerasyon 3D NAND belleklerin tıpkı kapasitedeki mevcut flash IC’lerine kıyasla wafer başına %20 daha yüksek verimlilik sunacağını tez ediyor. Şirketin üretim maliyetleri düşerken bu da potansiyel olarak daha ucuz SSD’lerin tasarlanması için kapıları aralıyor.
Güney Koreli teknoloji devinin 8. Jenerasyon V-NAND yongalarını kullanan hiçbir eser şimdi piyasada yok. Lakin birinci olarak sunucu tarafına ulaşacağını varsayabiliriz. Samsung Electronics Flash Eser ve Teknolojiden Sorumlu Lider Yardımcısı SungHoi Hur, yeni teknolojileri hakkında şu kelamlara yer veriyor:
“Pazarın daha ağır, daha yüksek kapasiteli depolama talebi daha yüksek V-NAND katman sayılarını gerektirdiğinden, Samsung yüzey alanını ve yüksekliği azaltmak için gelişmiş 3D ölçeklendirme teknolojilerini benimsemeye devam ediyor. Sekizinci jenerasyon V-NAND tahlilimiz süratle büyüyen pazar talebini karşılamaya yardımcı olacak, gelecekteki depolama inovasyonlarının temelinde yer alacak daha farklılaştırılmış eserler ve tahliller sunmak üzere piyasaya çıkacak.“
