Güney Kore merkezli teknoloji devi Samsung, San Jose’de düzenlenen Tech Day konferansında 1.000 katmanlı V-NAND ve GDDR7 planlarını paylaştı. Samsung Tech Day, 2017’den bu yana her yıl düzenleniyor. Bu yılki konferans ise, pandemi sonrasında birinci defa izleyiciler ile yüz yüze gerçekleştirildi. Yeni kuşak V-NAND ve GDDR7 bellekler yolda
Düzenlenen aktiflikte birinci olarak DRAM alanında açıklamalarda bulunan Samsung, beşinci jenerasyon 10 nm sınıfı üretimin (1b tekniği) 2023 yılına kadar başlayacağını duyurdu. Ayrıyeten halihazırda kullanılan 14nm sınıfı düğümlerde rakiplerinin önünde yer alan şirket, yeni desenler, materyaller ve High-K kapıları içeren mimari dizaynlar kullanarak ‘10nm altı DRAM üretiminde keşif araştırmalarının devam ettiğini’ açıkladı.
NAND konusuna gelindiğinde ise Samsung, 9. ve 10. Jenerasyon V-NAND için çalışmalarını sürdürüyor. Günümüzde 7. Jenerasyon 176 katmanlı V-NAND sevkiyatlarına başlayan şirket, 8. Kuşak 230 katmanlı V-NAND yongalarını yıl sonuna kadar piyasaya sürmeyi planlıyor. Buna ek olarak teknoloji devi, daha da kıymetli artışlar ile 2030 yılına kadar 1.000 katmanlı bir V-NAND dizaynına ulaşmayı bekliyor.
Etkinliğin devamında Samsung, geleceğin ekran kartlarına güç verecek GDDR7 teknolojisine de değindi. Yeni standart, halihazırda kullanılan 18 Gb/sn GDDR6 belleklere kıyasla 36 Gb/sn kadar artış sunacak. Böylece 384 bitlik bir data yoluna sahip ekran kartında yaklaşık 1.728 TB/sn bant genişliği elde edilebilecek.
