Yeni bir rapora nazaran evvelki randıman problemiyle karşılaştırıldığında, birinci jenerasyon Samsung 3nm üretim sürecinin verimliliği harikaya yakın bir düzeye ulaşmış vaziyette. Buna ek olarak bir Samsung yöneticisi, ikinci jenerasyon 3nm çip teknolojisinin de gelişmekte olduğunu belirtmiş durumda. Samsung: Harikaya yaklaştık
Önceki raporlar Samsung için büyük bir tasa yaratmıştı çünkü TSMC’nin verimlilik oranının yüzde 80’ler düzeyine eriştiği lakin Samsung’un 3nm sürecinde yüzde 20 düzeyinde takılı kaldığı aktarılmıştı. Lakin artık ise Samsung’un 3nm GAA teknolojisinin büyük oranda güzelleştirildiği ve artık “mükemmele yakın” olduğu söyleniyor.
Samsung’un 3nm teknolojisi
TSMC’den evvel Samsung, yaklaşık altı ay evvel 3nm üretimine başlarken, GAA’nın benimsenmesi nedeniyle üretim randımanı önemli biçimde düşmüştü. Şirket, 3nm randımanını artırmak için IBM, Silicon Frontline Technology ve öbür firmalar ile ile işbirliği yapmak zorunda kalmıştı. Samsung, FinFET (Fin Field-Effect Transistor) yerine GAAFET’e (Gate-all-Around Field-Effect Transistor) geçme nedeni olarak FinFET teknolojisinin limitlere ulaştığını söylemişti. GAAFET, FinFET’e kıyasla daha küçük ayak izi, daha yüksek sürat, daha az kaçak akım ve daha düşük voltaj üzere avantajlar sunuyor. Bunlarla birlikte Samsung, 3nm GAA ile 5nm sürecine nazaran enerji verimliliğinde yüzde 45 ve performans tarafında yüzde 23 artış vadediyor. İkinci jenerasyon 3nm’de ise Samsung’a nazaran enerji tüketimi yarıya iniyor performans ise yüzde 30 artıyor.
TrendForce tahliline nazaran TSMC’nin global döküm pazarında %53,4’lük hisseyle birinci sırada yer alırken Samsung’un sadece %16,4’lük pazar hissesine sahip olduğu belirtiliyor. Öte yandan TSMC, 3nm levha fiyatlarında önemli bir fiyat artışına gitmişti. Şayet Samsung, Qualcomm ve MediaTek’in yeni jenerasyon yongalarını üretmek istiyorsa TSMC ile ortasındaki randıman farkını kapatmak zorunda.
