Hafıza eserleri piyasasının devlerinden Micron 1z nm üretim bantlarından çıkacak DDR4 ve LPDDR4X yongalarını duyurdu. Yeni DRAM çözümleri yüksek performans sunarken düşük güç tüketiyor. Ayrıyeten kapasiteden de taviz verilmemiş.
3. jenerasyon 10 nm sınıfı olarak da geçen 1z nm üretim nodu sayesinde DRAM yongaları %10 daha az güç tüketecek. 16 Gb kapasiteli yongalar ayrıyeten artan yoğunlukları sayesinde üretim maliyetlerini düşürürken kapasite artışını da beraberinde getirecek. O denli ki Micron’a nazaran 16 Gb’lik tek bir küme 2 adet 8 Gb kapasiteli yongadan %40 daha az güç tüketiyor.
Her ne kadar yeni DDR4 tip DRAM’lerin suratları açıklanmasa da JEDEC standartları dahilinde pahalar görmemiz muhtemel. Birinci örnekler 32 GB kapasiteli RAM’lerde karşımıza çıkacağa benziyor. Son olarak Micron yeni tahliliyle iş istasyonları, masaüstü bilgisayarlar ve dizüstüleri hedef alıyor.
LPDDR4X tarafında ise yeni modüller 4266 MT/s transfer hızına sahip. Yeni akıllı telefonlara 16 GB LPDDR4X DRAM sunmanın yanı sıra çoklu yonga içeren UFS tabanlı hafıza kümeleri de üretilecek.
uMCP4
uMCP4 modülleri NAND Flash ünitesiyle DRAM yongasını tıpkı modül altında birleştirecek. İlerleyen günlerde orta segment aygıtları amaç alan 64 GB+3 GB ve 256 GB+8 GB (NAND+DRAM) biçiminde konfigürasyonlarda kümelerin piyasaya sürülmesi bekleniyor.
