NAND bellek kesiminde 3D yani istifleme sistemi benimsendi benimseneli bellek yoğunluklarında kıymetli artışlar yaşanıyor. Samsung dalın en ağır NAND belleğini hacimli üretime sokuyor.

1Tb V-NAND bellek

Samsung’un sekizinci kuşağa geçişini temsil eden yeni V-NAND bellekler TLC yani hücre başına 3-bit kapasite yoğunluğunu temel alıyor. Dikey istiflemenin de tesiriyle 1Tb TLC V-NAND bellek modülü elde edilebilmiş. Böylelikle bölümün en ağır kapasitesine ulaşılmış. Samsung kaç katmanlı NAND kullandığını açıklamamış.

3D ölçekleme teknolojisi ile hücrelerin ortasındaki çakışmayı engelleyen Samsung daha yüksek verimliliğe ulaşmış. Toggle DDR 5.0 arayüzü sayesinde de bilgi transferi 2.4Gbps düzeylerine çıkıyor. Ayrıyeten PCIe 4.0 ve PCIe 5.0 performans kriterleri de karşılanmış oluyor.

Samsung yeni bellek modüllerini işletme sunucularına ve bilhassa otomotiv kesimine tedarik edeceğini açıkladı. Son kullanıcı tarafında ise farklı versiyonlarını görmemiz mümkün olabilir.