
Belirtilenlere nazaran Samsung Foundry, geliştirilmiş 3nm ve 4nm çip üretim süreçlerini Haziran ayında VLSI Symposium 2023’te tanıtacak. Aktiflik 11-16 Haziran 2023 tarihleri ortasında Japonya’nın Kyoto kentinde gerçekleştirilecek. Çip sanayisi aktifliği sırasında Güney Koreli çip üreticisi ikinci kuşak 3nm ve dördüncü kuşak 4nm süreçlerini ayrıntılandıracak.
Samsung yeni jenerasyon 3nm ve 4nm süreçlerine geçiyor

Samsung Foundry’nin SF3 çip üretim süreci 3nm GAP teknolojisini kullanacak. Yeni süreç, Samsung’un MBCFET (Multi-Bridge-Channel Field-Effect Transistors) ismini verdiği geliştirilmiş GAA (Gate All Around) transistörüne dayanıyor. SF4 (4nm EUV LPP) ile karşılaştırıldığında, SF3’ün birebir güçte yüzde 22 daha hızlı yahut birebir saat suratlarında ve transistör sayısında yüzde 34 daha fazla verimli olduğu söyleniyor. Ayrıyeten zar alanı bakımından da yüzde 21 daha küçük bir alan sunuluyor. Bu ortada yıllardır, GAA sürecinin birincil avantajlarından birinin birebir hücre tiplerinde değişen nanosheet kanal genişlikleri olduğu söyleniyordu. Samsung Foundry ise SF3 sürecinin bunu destekleyeceğini söylüyor. Münasebetiyle buradan SF3E’nin (birinci kuşak 3nm süreci) bunu tam olarak desteklemediği çıkarımı yapılabilir.
Exynos 2500 ve Snapdragon 8 Gen 4 için kullanılabilir

Bu ortada Güney Koreli firmanın sunucu CPU’ları ve GPU’lar üzere yüksek performanslı bilgi süreç uygulamaları için kullanılmak üzere tasarlanan dördüncü jenerasyon 4nm süreci, SF4’e (ikinci jenerasyon 4nm) kıyasla yüzde 10 performans artışı ve yüzde 23 düzgünleştirilmiş güç verimliliği sunuyor. Bu yeni süreç, TSMC’nin sırasıyla 2024 ve 2025 yıllarında kullanıma sunulacak olan N4P (ikinci kuşak 4nm) ve N4X (üçüncü jenerasyon 4nm) düğümleriyle rekabet edecek.