Şimdiye kadar TSMC’nin üretim tekniklerinden N7, N7+ ve N5’i biliyorduk. 7 nm, 7nm+ ve 5 nm’ye tekabül eden bu tabirlere yenileri eklendi. Bunlardan birincisi N7P ile başlayalım. N7P, N7+ ile karıştırılmasın çünkü mevcut 7 nm bantını temel alan bir nod olarak görünüyor. N7’nin optimize edilmiş ve DUV tabanlı hali olan N7P’de %7 performans artışı sağlanırken %10 daha az güç tüketimi elde edilebilecek.
İlk EUV tabanlı bant
N7+ ise EUV tabanlı birinci süreç olup N7P’nin üzerinde kaydadeğer gelişme katedilecek bir nod olarak karşımıza çıkıyor. N6’da ise TSMC tam manasıyla EUV tekniğine yer verecek. Üstelik N6’nın tasarım kuralları ve IP itibariyle N7 ile uyumlu olması sayesinde müşterilerin geçişi kolaylaşacak. Ekstra %18’lik yoğunluk avantajı sunacak bantlardan çıkacak birinci yongaların gelecek yılın başlarında görücüye çıkması bekleniyor. Hacimli üretime geçiş için 2020 sonları işaret edilmekte.
HPC alanı için ekstra performans getirisi
N5 üretim nodu ise N7’den sonraki asıl adım olarak görülüyor. Çoğu katmanda EUV’a yer verilecek adımda üretim geliri de N7’ye kıyasla daha süratli bir formda yükselecek. N5’in yararlarına baktığımızda N7’ye nazaran %15 performans artışı ve %30 daha az güç tüketimi listeleniyor. HPC ve taşınabilir segmentin amaç alındığı üretim tekniği, HPC klasmanı için N7’nin üzerine yer yer %25’e varan performans artışı sağlayacak.
N5P’de N7 ile N7P misali bir durum kelam konusu. FEOL ve MOL optimizasyonları sayesinde N5P’den geçecek yongalar N5’e nazaran %7 daha süratli ve %15 güç tasarruflu olacak. Her ne kadar çıkış tarihi belirtilmese de 2021’nin başları öngörülmekte.
3 nm’de FinFET’e devam
