Uzakdoğulu DRAM ve NAND Flash yongaları üreticisi SK Hynix bugün duyurduğu HBM2E tahlilleriyle standartı daha savlı bir pozisyona getirdi. Firmanın tahlilleri kapasitesiyle ve bant genişliğiyle dikkat çekiyor.
Firmanın duyurduğu HBM tahlilleri HBM2E tipinde ki buda HBM2’ye göre %100 kapasite artışıyle kümede 16 GB kapasite manasına geliyor. Öbür taraftan da %50 artış sağlanarak bant genişliği 460 GB/s’ya yükseltilmiş. Bu da çok küçük bir alanda RTX 2080’deki 8 GB kapasiteli ve 448 GB/s bant genişliği sunan GDDR6 belleklerden daha uygunu manasına geliyor.
Samsung’dan daha iddialı
SK Hynix’ten evvel Samsung da kendi kümelerini geçtiğimiz mart ayında duyurmuştu lakin Tayvanlı üreticinin yongaları pin başına 3.6 GB/s aktarım süratiyle Samsung’un 3.2 GB/s’ye ulaşan bant genişliğini geride bırakıyor. Şayet somut bir örnekte yeni tahlilleri canlandıracak olursak RX Vega VII üzere modelde 1840GB/s bant genişliği elde edileceğini söyleyebiliriz.
Öte yandan TSV aracılığıyla 1024 IOs gerçekleştirilebilen HBM2E kümesinin 8 tanesi dikey eksende sıralanabiliyor. SK Hynix HBM2E belleklerinin 2020’de hacimli üretimine başlamayı planlarken yeni kümelerin üst düzey kartlar, yapay zeka uygulamaları ve makine öğrenme üzere alanlarda kendine yer bulması bekleniyor.
