6. kuşak V-NAND’ini içeren 250 GB kapasiteli SATA SSD’sinin hacimli üretimine başlayan Samsung böylelikle yüksek performans ve verimliliğini korurken hacimli üretim döngüsünü 4 ay daha kısaltarak 13 aya düşürmüş oldu.
Güney Koreli firmanın yeni yongaları kanal delik aşındırma teknolojisini kullanılarak tasarlandığı için evvelki jenerasyon 9 katmanlı yapıya kıyasla 40 tane daha hücre barındırıyor. Bu da daha sonra 136 katmanlı iletken bir kalıp içerisinde birleştirilerek sonuncu sonuç elde ediliyor.
Artan performans ve azalan güç tüketimi
Lakin katman artışıyla hakikat orantılı olarak artan yonga yüksekliği de kimi yanlışları ve gecikme mühleti artışlarını da beraberinde getiriyor. Bunun önüne geçmek için sürat odaklı bir devre geliştiren Samsung bu sayede okuma operasyonlarında gecikmeyi 45 mikrosaniyeye çekerken yazma süreçlerinde ise 450 mikrosaniyede tutunabilmiş. Sayılara göz atacak olursak yeni yongaların selefine nazaran 510 daha fazla performans sunarken %15 daha az güç tükettiğini görmekteyiz.
Öyle ki Samsung’un yeni eklediği devre tasarımı sayesinde performans ve stabiliteden ödün vermeden yeni yongaların yalnızca üst üste konulmasıyla rahatlıkla 300’ün üzerinde katmana sahip NAND üretilebilecek.
Ayrıca üretim esnasında da süreçleri azaltacak dizaynlara giden yonga devi böylelikle hem modüllerin boyutunu küçültmüş hem de üretim verimliliğini de %20’den fazla arttırabilmiş. Son kullanıcılar ve sunucuların yanı sıra otomotiv kesiminde de kullanılması beklenen yeni yongaların yanı sıra Samsung’un 512 Gb kapasiteli 3D V-NAND TLC tahlillerini ve eUFS ünitelerini yılın 2. yarısında tanıtması bekleniyor.
