Yarı iletken teknolojileri alanında kıyasıya rekabet sürüyor. Bu alanda öncü firmalardan olan SK Hynix, kısa bir müddet evvel yeni LPDDR5x beleklerini duyurdu. Yeni bellekler güç verimliliğinde önemli kazanımlar sunarken birebir vakitte performans açısından da epeyce tezli görünüyor. Verimlilikte yüzde 25 düzgünleşme var
SK Hynix, yaptığı basın açıklamasında HKMG (High-K Metal Gate) sürecine sahip dünyanın birinci taşınabilir DRAM’ı olan LPDDR5x’i geliştirdiğini duyurdu. Yapılan açıklamada yeni belleklerin, evvelki jenerasyona kıyasla güç tüketiminde yüzde 25 daha verimli olduğu aktarılıyor. Öte yandan bu bellekler, JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) tarafından belirlenen 1,01 V ile 1,12 V arasındaki ultra düşük voltaj aralığında çalıştığı için LPDDR5x kesiminde en yüksek güç verimliliğine sahip.
LPDDR5x (Low Power Double Veri Rate 5X) DRAM yongalar isminden da anlaşılacağı üzere büsbütün düşük güç tüketimine odaklı bellekler. Münasebetiyle LPDDR5x bellekler taşınabilir aygıtlar için geliştiriliyor. Güç tüketimi ne kadar düşük olursa, aygıtın pil ömrü de münasebetiyle o kadar yüksek oluyor. Ek olarak, mevcut LPDDR5X, evvelki jenerasyona nazaran yüzde 33 daha yüksek olan 8,5 Gbps çalışma suratına sahip. Münasebetiyle yalnızca taşınabilir aygıtlar değil otomotiv kesimi için de bu belleklerin kıymet derecesi yüksek. Bu ortada, SK Hynix’in 1anm olarak isimlendirdiği üretim süreci temelinde dördüncü jenerasyon 10nm süreç tekniği olarak söz edilebilir. Ek olarak, Samsung’da 8.5Gbps sürate sahip LPDDR5x tahlillerini tanıtmıştı. SK Hynix, Samsung’tan farklı olarak kendi belleklerinde HKMG teknolojisini entegre ederek transistör verimliliğini artırmayı hedefliyor.
